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Une double caractérisation par rayons X de la dynamique de solidification du silicium



De nombreuses impuretés et défauts cristallins apparaissent pendant la fabrication des cellules photovoltaïques en silicium, qui affectent leurs performances. Des physiciennes et des physiciens de l’Institut des matériaux, de microélectronique et des nanosciences de Provence (IM2NP) ont développé un nouveau système qui utilise le rayonnement synchrotron et qui, à partir d’un même faisceau de rayons X, réalise simultanément la topographie et la radiographie du silicium, lors de sa cristallisation dans un four montant jusqu’à 1800 °C.

 

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